【技術】エルピーダが抵抗変化型64MビットReRAMを開発

科学ニュース+板 (28/100)

1：pureφ ★ 2012/01/31(火) 15:31:22.75 ID:??? << 54 61

　エルピーダメモリは1月24日、今回の技術に関する報道機関向け説明会を開催した。

　エルピーダメモリは、次世代不揮発性メモリの一種であるReRAM（抵抗変化型メモリ）を開発した（リリース）。64Mビットのセル・アレイを50nm世代技術で試作し、全ビット動作を確認したという。ReRAMの商用化に向けた取り組みを既に始めており、第1弾製品として「30nm世代の8Gビット品を2013年に市場投入したい。2014年には本格的な量産に移れるだろう」（同社 取締役 執行役員の安達隆郎氏）とする。

　同社はReRAMを、スマートフォンやタブレット端末、ノート・パソコンなどの「携帯機器に向ける」（安達氏）という。当面は、こうした機器において、DRAMとNANDフラッシュ・メモリの間の性能差を埋めるキャッシュ・メモリとしての用途を見込んでいるという。ゆくゆくは「DRAMを侵食するメモリになることを期待している。携帯機器では、（消費電力の大きい）DRAMを少しでも減らして不揮発化したいという声が強いからだ」（同氏）。ただし現時点では、SSDの高速化を求める、映像系の据え置き型機器の顧客からの引き合いが強いとする。

　今回開発したのは、Hf系酸化物ベースの抵抗変化素子を用いた、1T-1R型のReRAM。データ読み出し時間は20ns以下、書き換え回数は100万回以上であることを確認したという。今後、Gビット級への大容量化に向けて、動作メカニズムの完全な解明や、記憶素子の動作バラつきへの対策を進めていく。さらに、今回の試作品では6F2セルを用いたが、量産品には4F2セルを導入し、セル面積を縮小するという。DRAMの製造ラインでの量産が可能といい、量産段階でのビット・コストは「DRAMの70％（DRAM比で30％低減）を狙う」（安達氏）とした。同社は次世代不揮発性メモリの候補をReRAMに絞っており、MRAM（磁気メモリ）やPRAM（相変化メモリ）の製品開発は行っていないという。

　今回の成果は、2010年に始動したNEDO（新エネルギー・産業技術総合開発機構）の委託事業におけるもの。シャープ、産業技術総合研究所、東京大学との共同開発の成果である（Tech-On!関連記事）。

大下 淳一／日経エレクトロニクス　2012/01/25 10:31
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20120125/203931/1.jpg


http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20120125/203931/

エルピーダメモリ株式会社プレスリリース　2012年1月24日新メモリ（高速不揮発性抵抗変化型メモリ、ReRAM）の開発に成功
http://www.elpida.com/ja/news/2012/01-24r.html

関連記事エルピーダ，シャープなどがReRAMを共同開発，DRAMとNANDフラッシュ・メモリの性能差を埋める大石 基之＝日経エレクトロニクス 2010/10/13 10:05
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20101013/186394/

関連ニュース【物理】サブナノ秒の電圧パルスで磁極の歳差運動を利用した磁石の高速ＮＳ反転に成功　省電力メモリー開発に期待—阪大チーム
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1327250004/
【技術】再び活発になってきた大容量相変化メモリの開発競争—IEDM 2011レポート
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1323402624/
【技術】IBMの最終兵器　磁気ナノワイヤの磁区を電子スピン注入で動かす「レーストラック・メモリ」が登場—IEDM 2011レポート
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1324231773/
【年末/IT】半導体メモリ、この1年　迫る微細化限界を前に新メモリの開発が加速　3次元化　Si貫通ビア　STT-MRAM
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1325307088/

3：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 15:34:18.98 ID:T51wMiWb << 39

8GB3000円のこんな世の中じゃ・・・・

39：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 19:07:53.24 ID:S6E8dGBQ

>>3
ポイズン。

4：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 15:35:13.15 ID:vzXxsmMb

進化に追いついていけるかはこれからなんだね

5：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 15:35:22.20 ID:O37355DU

広島工場売っちゃうん？

6：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 15:38:58.96 ID:QXqorpwx

で、1TBいつ実現できるんだよｗｗｗｗｗｗｗｗｗ

やるやる詐欺じゃ意味ねーぞ

7：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 15:41:13.58 ID:ZXqfqmPg

DRAMの70%なら高すぎだな。

9：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 15:50:12.81 ID:6VL+P9CV

フラッシュは1チップ１２８Gbitになろうとしているぞ
大丈夫か？

10：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 15:51:10.48 ID:LpLJQOv5

資金繰りはどーなったん？

11：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 15:53:45.46 ID:I7a++nah

生き残るとは思うのだけど増資リスクが高そうで手が出せない
どこと組むのか、資金繰りの仕方が確定してからが無難だろうな

12：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 15:56:47.79 ID:82p9yfJH << 49

何度でも書き換えられるからNANDフラッシュメモリーな，
notandってのは俗説，これ豆な。

49：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 22:09:24.85 ID:75qayi0Z

>>12
NOR型はなんの略なんだい？

13：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 15:58:08.03 ID:QXqorpwx << 15

高速DRAMならまだ需要あるけど
NANDの代用なんてよっぽど大容量でもないかぎり無価値

15：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 16:03:20.75 ID:5MT6epSG

>>13
純NANDでも結構消費電力があったような、DRAM置き換えも狙えるってメモリ速度かつ省電力なら
特に携帯・タブレット系の「性能は欲しいけど電力が」なジレンマの解消にうってつけなんじゃね？

14：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 16:01:59.19 ID:3VsKg2Nq << 98

まず売れるものとして、高速SSDが提案されているだけで、
最終的にはDRAM置き換えの不揮発性RAMだろ。
スイッチを切ってもメモリ上のデータが残っているっていうやつ。

16：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 16:04:18.46 ID:LRmzwSgc

50nm世代で64Mb品をようやく作れたのに、30nm世代で8Gb品を量産化とか
大きく出たなｗ
容量１００倍！景気がいいね

17：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 16:08:20.46 ID:Jjd6WS67

資金繰りが苦しいから前宣伝で同意を・・・・

18：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 16:09:07.94 ID:6VL+P9CV

DRAMを置き換えられるほど、書き換え可能回数がない
よって、フラッシュの置き換えとして考えなくてはならない

19：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 16:09:30.09 ID:+hbq9ja6 << 56

ソース見たけど全ビット動作とはどこにも書いてないな
現在のReRAM製造技術考えると動いてるのは64Mbit中1bitとかだなこりゃｗ
○芝がやったのと同じ手口

56：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 22:58:46.86 ID:qAikfBkC << 85

>>19
＞64Mビットのセル・アレイを50nm世代技術で試作し、全ビット動作を確認したという。

と書いてあるのだが？

85：名無しのひみつ 2012/02/01(水) 20:05:56.88 ID:XcDbCSVB

>>56
ソース見たけどっつってんだろ阿呆が
日経の二次情報鵜呑みにしてどうすんだよ

43：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 20:16:57.99 ID:5IsT6vbF << 44 47

FRAMはどうした。

44：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 20:19:07.72 ID:FnqvE6su

>>43
ICカード用メモリとして製品化されてるよ。
唯一次世代不揮発性メモリで市場形成に成功した物なんじゃないか？

47：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 20:43:16.94 ID:imhQITub << 48

>>43
FeRAM
PRAM
MRAM

どれも相転移を使った素子

強誘電体や強磁性体が
キューリー点で相転移するのはよく知られた話なので
電流を多く流してキューリー点まで温度を上げて
相転移させようなんてことは、みんな考える

BD-RWは結晶の相転移だし
MOは磁性体の相転移
FeRAMは強誘電体の相転移

一方のReRAMって化学変化なんだよね、なのでノーマークだったんだな
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2012/pr20120112/pr20120112.html

48：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 22:04:58.99 ID:TUcSTEiL

>>47
MRAMの磁化反転を相転移と言うのか？

75：名無しのひみつ 2012/02/01(水) 01:33:00.11 ID:aATNYxJB << 76 82

DRAM置換えの不揮発メモリーなんて、どこで、どのように使われるかあまり想像できない。PCなら、少しわかるけど、スマホには搭載する意義が少ないだろうし

76：名無しのひみつ 2012/02/01(水) 01:54:29.77 ID:Ipfw+bZl

>>75

DRAMは電気を喰う。バッテリーの節約は重要。

82：名無しのひみつ 2012/02/01(水) 09:51:27.85 ID:F3TrgS8W

>>75
DRAMはコンデンサーの回路への作り込みが既に限界らしい
回路自体は30nmぐらいにまでシュリンク可能なんだけど
コンデンサーの電荷を貯める部分の体積が足りなくて
深さ方向に伸ばすしか無いらしく非常に厳しいのだとか
地下10階まである感じ

(>> ソース)