科学ニュース+板 (28/100)
1：pureφ ★ 2012/01/31(火) 15:31:22.75 ID:??? << 54 61
エルピーダメモリは1月24日、今回の技術に関する報道機関向け説明会を開催した。
エルピーダメモリは、次世代不揮発性メモリの一種であるReRAM（抵抗変化型メモリ）を開発した（リリース）。64Mビットのセル・アレイを50nm世代技術で試作し、全ビット動作を確認したという。ReRAMの商用化に向けた取り組みを既に始めており、第1弾製品として「30nm世代の8Gビット品を2013年に市場投入したい。2014年には本格的な量産に移れるだろう」（同社 取締役 執行役員の安達隆郎氏）とする。
同社はReRAMを、スマートフォンやタブレット端末、ノート・パソコンなどの「携帯機器に向ける」（安達氏）という。当面は、こうした機器において、DRAMとNANDフラッシュ・メモリの間の性能差を埋めるキャッシュ・メモリとしての用途を見込んでいるという。ゆくゆくは「DRAMを侵食するメモリになることを期待している。携帯機器では、（消費電力の大きい）DRAMを少しでも減らして不揮発化したいという声が強いからだ」（同氏）。ただし現時点では、SSDの高速化を求める、映像系の据え置き型機器の顧客からの引き合いが強いとする。
今回開発したのは、Hf系酸化物ベースの抵抗変化素子を用いた、1T-1R型のReRAM。データ読み出し時間は20ns以下、書き換え回数は100万回以上であることを確認したという。今後、Gビット級への大容量化に向けて、動作メカニズムの完全な解明や、記憶素子の動作バラつきへの対策を進めていく。さらに、今回の試作品では6F2セルを用いたが、量産品には4F2セルを導入し、セル面積を縮小するという。DRAMの製造ラインでの量産が可能といい、量産段階でのビット・コストは「DRAMの70％（DRAM比で30％低減）を狙う」（安達氏）とした。同社は次世代不揮発性メモリの候補をReRAMに絞っており、MRAM（磁気メモリ）やPRAM（相変化メモリ）の製品開発は行っていないという。
今回の成果は、2010年に始動したNEDO（新エネルギー・産業技術総合開発機構）の委託事業におけるもの。シャープ、産業技術総合研究所、東京大学との共同開発の成果である（Tech-On!関連記事）。
大下 淳一／日経エレクトロニクス 2012/01/25 10:31
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20120125/203931/1.jpg
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20120125/203931/
エルピーダメモリ株式会社プレスリリース 2012年1月24日新メモリ（高速不揮発性抵抗変化型メモリ、ReRAM）の開発に成功
http://www.elpida.com/ja/news/2012/01-24r.html
関連記事エルピーダ，シャープなどがReRAMを共同開発，DRAMとNANDフラッシュ・メモリの性能差を埋める大石 基之＝日経エレクトロニクス 2010/10/13 10:05
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20101013/186394/
関連ニュース【物理】サブナノ秒の電圧パルスで磁極の歳差運動を利用した磁石の高速ＮＳ反転に成功 省電力メモリー開発に期待—阪大チーム
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1327250004/
【技術】再び活発になってきた大容量相変化メモリの開発競争—IEDM 2011レポート
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1323402624/
【技術】IBMの最終兵器 磁気ナノワイヤの磁区を電子スピン注入で動かす「レーストラック・メモリ」が登場—IEDM 2011レポート
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1324231773/
【年末/IT】半導体メモリ、この1年 迫る微細化限界を前に新メモリの開発が加速 3次元化 Si貫通ビア STT-MRAM
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1325307088/
エルピーダメモリは、次世代不揮発性メモリの一種であるReRAM（抵抗変化型メモリ）を開発した（リリース）。64Mビットのセル・アレイを50nm世代技術で試作し、全ビット動作を確認したという。ReRAMの商用化に向けた取り組みを既に始めており、第1弾製品として「30nm世代の8Gビット品を2013年に市場投入したい。2014年には本格的な量産に移れるだろう」（同社 取締役 執行役員の安達隆郎氏）とする。
同社はReRAMを、スマートフォンやタブレット端末、ノート・パソコンなどの「携帯機器に向ける」（安達氏）という。当面は、こうした機器において、DRAMとNANDフラッシュ・メモリの間の性能差を埋めるキャッシュ・メモリとしての用途を見込んでいるという。ゆくゆくは「DRAMを侵食するメモリになることを期待している。携帯機器では、（消費電力の大きい）DRAMを少しでも減らして不揮発化したいという声が強いからだ」（同氏）。ただし現時点では、SSDの高速化を求める、映像系の据え置き型機器の顧客からの引き合いが強いとする。
今回開発したのは、Hf系酸化物ベースの抵抗変化素子を用いた、1T-1R型のReRAM。データ読み出し時間は20ns以下、書き換え回数は100万回以上であることを確認したという。今後、Gビット級への大容量化に向けて、動作メカニズムの完全な解明や、記憶素子の動作バラつきへの対策を進めていく。さらに、今回の試作品では6F2セルを用いたが、量産品には4F2セルを導入し、セル面積を縮小するという。DRAMの製造ラインでの量産が可能といい、量産段階でのビット・コストは「DRAMの70％（DRAM比で30％低減）を狙う」（安達氏）とした。同社は次世代不揮発性メモリの候補をReRAMに絞っており、MRAM（磁気メモリ）やPRAM（相変化メモリ）の製品開発は行っていないという。
今回の成果は、2010年に始動したNEDO（新エネルギー・産業技術総合開発機構）の委託事業におけるもの。シャープ、産業技術総合研究所、東京大学との共同開発の成果である（Tech-On!関連記事）。
大下 淳一／日経エレクトロニクス 2012/01/25 10:31
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20120125/203931/1.jpg
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20120125/203931/
エルピーダメモリ株式会社プレスリリース 2012年1月24日新メモリ（高速不揮発性抵抗変化型メモリ、ReRAM）の開発に成功
http://www.elpida.com/ja/news/2012/01-24r.html
関連記事エルピーダ，シャープなどがReRAMを共同開発，DRAMとNANDフラッシュ・メモリの性能差を埋める大石 基之＝日経エレクトロニクス 2010/10/13 10:05
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20101013/186394/
関連ニュース【物理】サブナノ秒の電圧パルスで磁極の歳差運動を利用した磁石の高速ＮＳ反転に成功 省電力メモリー開発に期待—阪大チーム
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1327250004/
【技術】再び活発になってきた大容量相変化メモリの開発競争—IEDM 2011レポート
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1323402624/
【技術】IBMの最終兵器 磁気ナノワイヤの磁区を電子スピン注入で動かす「レーストラック・メモリ」が登場—IEDM 2011レポート
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1324231773/
【年末/IT】半導体メモリ、この1年 迫る微細化限界を前に新メモリの開発が加速 3次元化 Si貫通ビア STT-MRAM
http://anago.2ch.net/test/read.cgi/scienceplus/1325307088/
3：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 15:34:18.98 ID:T51wMiWb << 39
8GB3000円のこんな世の中じゃ・・・・
39：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 19:07:53.24 ID:S6E8dGBQ
>>3
ポイズン。
ポイズン。
4：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 15:35:13.15 ID:vzXxsmMb
進化に追いついていけるかはこれからなんだね
5：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 15:35:22.20 ID:O37355DU
広島工場売っちゃうん？
6：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 15:38:58.96 ID:QXqorpwx
で、1TBいつ実現できるんだよｗｗｗｗｗｗｗｗｗ
やるやる詐欺じゃ意味ねーぞ
やるやる詐欺じゃ意味ねーぞ
7：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 15:41:13.58 ID:ZXqfqmPg
DRAMの70%なら高すぎだな。
9：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 15:50:12.81 ID:6VL+P9CV
フラッシュは1チップ１２８Gbitになろうとしているぞ
大丈夫か？
大丈夫か？
10：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 15:51:10.48 ID:LpLJQOv5
資金繰りはどーなったん？
11：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 15:53:45.46 ID:I7a++nah
生き残るとは思うのだけど増資リスクが高そうで手が出せない
どこと組むのか、資金繰りの仕方が確定してからが無難だろうな
どこと組むのか、資金繰りの仕方が確定してからが無難だろうな
12：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 15:56:47.79 ID:82p9yfJH << 49
何度でも書き換えられるからNANDフラッシュメモリーな，
notandってのは俗説，これ豆な。
notandってのは俗説，これ豆な。
49：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 22:09:24.85 ID:75qayi0Z
>>12
NOR型はなんの略なんだい？
NOR型はなんの略なんだい？
13：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 15:58:08.03 ID:QXqorpwx << 15
高速DRAMならまだ需要あるけど
NANDの代用なんてよっぽど大容量でもないかぎり無価値
NANDの代用なんてよっぽど大容量でもないかぎり無価値
15：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 16:03:20.75 ID:5MT6epSG
14：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 16:01:59.19 ID:3VsKg2Nq << 98
まず売れるものとして、高速SSDが提案されているだけで、
最終的にはDRAM置き換えの不揮発性RAMだろ。
スイッチを切ってもメモリ上のデータが残っているっていうやつ。
最終的にはDRAM置き換えの不揮発性RAMだろ。
スイッチを切ってもメモリ上のデータが残っているっていうやつ。
16：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 16:04:18.46 ID:LRmzwSgc
50nm世代で64Mb品をようやく作れたのに、30nm世代で8Gb品を量産化とか
大きく出たなｗ
容量１００倍！景気がいいね
大きく出たなｗ
容量１００倍！景気がいいね
17：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 16:08:20.46 ID:Jjd6WS67
資金繰りが苦しいから前宣伝で同意を・・・・
18：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 16:09:07.94 ID:6VL+P9CV
DRAMを置き換えられるほど、書き換え可能回数がない
よって、フラッシュの置き換えとして考えなくてはならない
よって、フラッシュの置き換えとして考えなくてはならない
19：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 16:09:30.09 ID:+hbq9ja6 << 56
ソース見たけど全ビット動作とはどこにも書いてないな
現在のReRAM製造技術考えると動いてるのは64Mbit中1bitとかだなこりゃｗ
○芝がやったのと同じ手口
現在のReRAM製造技術考えると動いてるのは64Mbit中1bitとかだなこりゃｗ
○芝がやったのと同じ手口
56：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 22:58:46.86 ID:qAikfBkC << 85
85：名無しのひみつ 2012/02/01(水) 20:05:56.88 ID:XcDbCSVB
44：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 20:19:07.72 ID:FnqvE6su
47：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 20:43:16.94 ID:imhQITub << 48
>>43
FeRAM
PRAM
MRAM
どれも相転移を使った素子
強誘電体や強磁性体が
キューリー点で相転移するのはよく知られた話なので
電流を多く流してキューリー点まで温度を上げて
相転移させようなんてことは、みんな考える
BD-RWは結晶の相転移だし
MOは磁性体の相転移
FeRAMは強誘電体の相転移
一方のReRAMって化学変化なんだよね、なのでノーマークだったんだな
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2012/pr20120112/pr20120112.html
FeRAM
PRAM
MRAM
どれも相転移を使った素子
強誘電体や強磁性体が
キューリー点で相転移するのはよく知られた話なので
電流を多く流してキューリー点まで温度を上げて
相転移させようなんてことは、みんな考える
BD-RWは結晶の相転移だし
MOは磁性体の相転移
FeRAMは強誘電体の相転移
一方のReRAMって化学変化なんだよね、なのでノーマークだったんだな
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2012/pr20120112/pr20120112.html
48：名無しのひみつ 2012/01/31(火) 22:04:58.99 ID:TUcSTEiL
>>47
MRAMの磁化反転を相転移と言うのか？
MRAMの磁化反転を相転移と言うのか？
DRAM置換えの不揮発メモリーなんて、どこで、どのように使われるかあまり想像できない。PCなら、少しわかるけど、スマホには搭載する意義が少ないだろうし
76：名無しのひみつ 2012/02/01(水) 01:54:29.77 ID:Ipfw+bZl
82：名無しのひみつ 2012/02/01(水) 09:51:27.85 ID:F3TrgS8W
>>75
DRAMはコンデンサーの回路への作り込みが既に限界らしい
回路自体は30nmぐらいにまでシュリンク可能なんだけど
コンデンサーの電荷を貯める部分の体積が足りなくて
深さ方向に伸ばすしか無いらしく非常に厳しいのだとか
地下10階まである感じ
DRAMはコンデンサーの回路への作り込みが既に限界らしい
回路自体は30nmぐらいにまでシュリンク可能なんだけど
コンデンサーの電荷を貯める部分の体積が足りなくて
深さ方向に伸ばすしか無いらしく非常に厳しいのだとか
地下10階まである感じ
(>> ソース)
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